铬的禁带宽度

答案:1)硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂。

回答:禁带宽度(Bandgap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电要有自由电子存。

填空题禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。参考。

2011年11月1日-文档格式:.doc文档页数:2页文档大小:264.0K文档热度:文档分类:行业资料--实验文档标签:禁带宽度能级更多>>相关文档。

2012年4月5日-

答案:禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合。更多关于铬的禁带宽度的问题>>

禁带宽度的算法-通过紫外-可见吸收光谱换算禁带宽度用紫外可见吸收谱测出来的应该是三列数据:波长,反射率和吸收率。求禁带宽度的时候先把波长换算。

文献上查到的三氧化物的禁带宽度是2.7ev但是我自己合成了三氧化物通过做固体紫外测得禁带宽带是3.2ev请问这个值是个定值,还是说不同条件下合成的不同。

近日看到文献,求半导体禁带宽度有各种表示方法,基本横坐标都是hv,但纵坐标不一样,我知道直接半导体和间接半导体计算时指数不一样,但为什么有写文献纵。

Cr的掺杂使得薄膜的带隙增大,并且x=3%时,禁带宽度,达到3.374eV。掺Cr的。期刊|铬掺杂氧化锌薄膜的超声喷雾法制备及其光学与磁学性质期刊|ZnO纳米。

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